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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston KF3200C16D4/32GX 32GB
比较
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs Kingston KF3200C16D4/32GX 32GB
总分
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
总分
Kingston KF3200C16D4/32GX 32GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
18.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
870.4
13.2
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston KF3200C16D4/32GX 32GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
30
87
左右 -190% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
19200
5300
左右 3.62 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston KF3200C16D4/32GX 32GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
87
30
读取速度,GB/s
3,155.6
18.2
写入速度,GB/s
870.4
13.2
内存带宽,mbps
5300
19200
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
417
3473
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB RAM的比较
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CM4X8GF3000C15K4 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
V-GEN D4H8GL26A8TS6 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-4400C19-16GTZR 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GIS 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Team Group Inc. Team-Elite-2133 4GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZR 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Kingston KHX2133C14/8G 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Heoriady M471A1K43CB1-CTD 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZSWC 8GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
ISD Technology Limited IM48GU48N21-FFFHM 8GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Corsair CMSX16GX4M1A2666C18 16GB
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