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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
比较
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
总分
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
总分
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
15.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
870.4
13.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
43
87
左右 -102% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
25600
5300
左右 4.83 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
87
43
读取速度,GB/s
3,155.6
15.4
写入速度,GB/s
870.4
13.3
内存带宽,mbps
5300
25600
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
417
2776
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB RAM的比较
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Corsair CMK64GX4M4X4000C18 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Kingmax Semiconductor GLAF62F-D8---------- 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3B1 32GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Mushkin 99[2/7/4]200[F/T] 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Samsung M474A2K43BB1-CRC 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMK32GX4M2K4133C19 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSK 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Ramaxel Technology RMSA3310ME96HAF-3200 8GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Corsair CMW16GX4M2K3600C16 8GB
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