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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston KST-2133MHZ-4G 4GB
比较
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs Kingston KST-2133MHZ-4G 4GB
总分
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
总分
Kingston KST-2133MHZ-4G 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
13.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
870.4
6.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston KST-2133MHZ-4G 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
82
87
左右 -6% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
5300
左右 3.21 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston KST-2133MHZ-4G 4GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
87
82
读取速度,GB/s
3,155.6
13.1
写入速度,GB/s
870.4
6.5
内存带宽,mbps
5300
17000
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
417
1354
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB RAM的比较
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
Kingston KST-2133MHZ-4G 4GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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Samsung M471A1K43BB0-CPB 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2133C10 8GB
Kingston KHX2666C15/16GX 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Corsair CMD128GX4M8B3200C16 16GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Corsair CMW16GX4M2K4266C19 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Atla Electronics Co. Ltd. AD4SST8GT1WB-FQGE 8GB
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
G Skill Intl F4-2800C17-8GIS 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVRB 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Corsair CMK32GX4M4K4133C19 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200
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