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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston KTP9W1-MID 16GB
比较
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs Kingston KTP9W1-MID 16GB
总分
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
总分
Kingston KTP9W1-MID 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
16.5
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
870.4
14.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston KTP9W1-MID 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
32
87
左右 -172% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
21300
5300
左右 4.02 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston KTP9W1-MID 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
87
32
读取速度,GB/s
3,155.6
16.5
写入速度,GB/s
870.4
14.4
内存带宽,mbps
5300
21300
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
417
3424
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB RAM的比较
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
Kingston KTP9W1-MID 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965669-018.A00G 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3000D 8GB
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Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6H1 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Avant Technology W644GU44J2320NH 32GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Crucial Technology CT4G4SFS8266.C8FE 4GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Corsair CMK8GX4M2B4000C19 4GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 16GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FG 4GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GRR 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Team Group Inc. DDR4 3600 8GB
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