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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston XN205T-HYD2 16GB
比较
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs Kingston XN205T-HYD2 16GB
总分
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
总分
Kingston XN205T-HYD2 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
17.5
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
870.4
16.6
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston XN205T-HYD2 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
87
左右 -211% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
21300
5300
左右 4.02 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston XN205T-HYD2 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
87
28
读取速度,GB/s
3,155.6
17.5
写入速度,GB/s
870.4
16.6
内存带宽,mbps
5300
21300
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
417
3773
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB RAM的比较
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
Kingston XN205T-HYD2 16GB RAM的比较
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Kingston 9905598-044.A00G 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Apacer Technology 78.CAGMR.40C0B 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FBR2 8GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZKW 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FE 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GRS 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Kingston ACR32D4U2S8ME-16 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKW 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Kingston XG9XKG-MIE 16GB
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