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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2J1 16GB
比较
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2J1 16GB
总分
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
总分
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2J1 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
16.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
870.4
14.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2J1 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
30
87
左右 -190% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
25600
5300
左右 4.83 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2J1 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
87
30
读取速度,GB/s
3,155.6
16.8
写入速度,GB/s
870.4
14.3
内存带宽,mbps
5300
25600
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
417
3527
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB RAM的比较
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
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Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FDD2 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston KF2666C13D4/8GX 8GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVR 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMK16GX4M2B3000C15 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Corsair CMW32GX4M4C3466C16 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston 9905702-120.A00G 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Kingston 9905599-025.A00G 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Smart Modular SF4721G8CKHH6DFSDS 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston 9965640-035.C00G 32GB
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