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Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
比较
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
总分
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
总分
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
15.5
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,201.1
11.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
39
74
左右 -90% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
21300
6400
左右 3.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
74
39
读取速度,GB/s
4,178.4
15.5
写入速度,GB/s
2,201.1
11.5
内存带宽,mbps
6400
21300
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
508
2264
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GNS 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Kingston HP24D4U7S8MD-8 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2B1 32GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Kingston KF3200C16D4/32GX 32GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTRG 32GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FE 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKW 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZR 16GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Mushkin 99[2/7/4]192F 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M16FE 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston 9905743-045.A00G 16GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Kingston KMKYF9-MID 8GB
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