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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Mushkin 99[2/7/4]191[F/T] 4GB
比较
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs Mushkin 99[2/7/4]191[F/T] 4GB
总分
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
总分
Mushkin 99[2/7/4]191[F/T] 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
14.5
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
870.4
10.1
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Mushkin 99[2/7/4]191[F/T] 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
87
左右 -235% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
5300
左右 3.21 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Mushkin 99[2/7/4]191[F/T] 4GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
87
26
读取速度,GB/s
3,155.6
14.5
写入速度,GB/s
870.4
10.1
内存带宽,mbps
5300
17000
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
417
2480
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KHX426C13/8G 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKY 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston 99U5700-010.A00G 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Essencore Limited KD48GU880-32A160T 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BW8S 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Apacer Technology 78.D2GFH.4030B 16GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
SK Hynix HMA451U7MFR8N-TF 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FD2 4GB
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