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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Mushkin 99[2/7/4]208F 8GB
比较
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs Mushkin 99[2/7/4]208F 8GB
总分
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
总分
Mushkin 99[2/7/4]208F 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
18.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
870.4
15.0
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Mushkin 99[2/7/4]208F 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
20
87
左右 -335% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
5300
左右 3.21 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Mushkin 99[2/7/4]208F 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
87
20
读取速度,GB/s
3,155.6
18.9
写入速度,GB/s
870.4
15.0
内存带宽,mbps
5300
17000
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
417
3230
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB RAM的比较
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
Mushkin 99[2/7/4]208F 8GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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Corsair CMN32GX4M2Z3600C18 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingston KHX3600C18D4/16GX 16GB
Kingston KHX1600C10D3/4G 4GB
A-DATA Technology AM1P24HC4R1-BUNS 4GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZ 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMW16GX4M2C3600C18 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Apacer Technology 76.D105G.D090B 16GB
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SK Hynix HMA84GR7AFR4N-VK 32GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FE 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMD16GX4M4B2133C10 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Corsair CM4X8GF2400C16S4 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FRS 16GB
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