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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Ramaxel Technology RMSA3260KC78HAF-2666 8GB
比较
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs Ramaxel Technology RMSA3260KC78HAF-2666 8GB
总分
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
总分
Ramaxel Technology RMSA3260KC78HAF-2666 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
13.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
870.4
7.2
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Ramaxel Technology RMSA3260KC78HAF-2666 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
46
87
左右 -89% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
21300
5300
左右 4.02 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Ramaxel Technology RMSA3260KC78HAF-2666 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
87
46
读取速度,GB/s
3,155.6
13.4
写入速度,GB/s
870.4
7.2
内存带宽,mbps
5300
21300
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
417
1854
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston HP24D4S7S8MBP-8 8GB
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SK Hynix HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Kingston 9905402-665.A00LF 4GB
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
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Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Essencore Limited IM44GU48N28-GGGHM 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Corsair MK16GX4M2B3200C16 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Kingston 9965643-006.A01G 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FN 16GB
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