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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Samsung M471A2K43EB1-CTD 16GB
比较
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs Samsung M471A2K43EB1-CTD 16GB
总分
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
总分
Samsung M471A2K43EB1-CTD 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
15.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
870.4
11.7
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung M471A2K43EB1-CTD 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
34
87
左右 -156% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
21300
5300
左右 4.02 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Samsung M471A2K43EB1-CTD 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
87
34
读取速度,GB/s
3,155.6
15.3
写入速度,GB/s
870.4
11.7
内存带宽,mbps
5300
21300
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
417
2962
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FR 8GB
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Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6J1 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Panram International Corporation M424016 4GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Mushkin 99[2/7/4]202F 4GB
Kingston HP16D3LS1KBGH/4G 4GB
Corsair CMW16GX4M2C3200C14 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRG 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Corsair CMK64GX4M4B3200C16 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Corsair CM4X4GF2400C16K4 4GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FE 8GB
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