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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Smart Modular SMS4TDC8C1K0446FCG 8GB
比较
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs Smart Modular SMS4TDC8C1K0446FCG 8GB
总分
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
总分
Smart Modular SMS4TDC8C1K0446FCG 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
13.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
870.4
8.1
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Smart Modular SMS4TDC8C1K0446FCG 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
43
87
左右 -102% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
21300
5300
左右 4.02 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Smart Modular SMS4TDC8C1K0446FCG 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
87
43
读取速度,GB/s
3,155.6
13.9
写入速度,GB/s
870.4
8.1
内存带宽,mbps
5300
21300
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
417
2058
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB RAM的比较
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
Smart Modular SMS4TDC8C1K0446FCG 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Apacer Technology 78.C1GM3.C7Z0B 8GB
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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Smart Modular SMS4TDC8C1K0446FCG 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
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Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Samsung M391A1K43BB1-CRC 8GB
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SK Hynix HMA82GU6CJR8N-XN 16GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
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A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Gowe Technology Co. Ltd. GSA16G4SCL196P-26 16GB
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Kingston 9905625-036.A00G 16GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
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G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
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Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB
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