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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15/8G 8GB
比较
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15/8G 8GB
总分
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
总分
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15/8G 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
14.5
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
870.4
9.1
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15/8G 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
87
左右 -248% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
5300
左右 3.21 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15/8G 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
87
25
读取速度,GB/s
3,155.6
14.5
写入速度,GB/s
870.4
9.1
内存带宽,mbps
5300
17000
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
417
2368
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB RAM的比较
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15/8G 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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AMD R538G1601U2S 8GB
Corsair CMW16GX4M2Z3600C18 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FB 4GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-16GTZ 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6B1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK16GX4M1Z3600C18 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FB 4GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Corsair CMU32GX4M4C3466C16 8GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FDD2 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Mushkin 99[2/7/4]198F 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kllisre M471A3243BB0-CP50 16GB
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