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TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMD8GX4M2B3000C15 4GB
比较
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB vs Corsair CMD8GX4M2B3000C15 4GB
总分
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
总分
Corsair CMD8GX4M2B3000C15 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
18.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMD8GX4M2B3000C15 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
21
53
左右 -152% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
14.2
1,590.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMD8GX4M2B3000C15 4GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
53
21
读取速度,GB/s
3,726.4
18.5
写入速度,GB/s
1,590.1
14.2
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
522
2930
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB RAM的比较
Swissbit SEU25664D6BC2EP-30 2GB
Micron Technology 9HTF12872JY80EE1D4 1GB
Corsair CMD8GX4M2B3000C15 4GB RAM的比较
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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AMD R5S38G1601U2S 8GB
Kingston HP37D4U1S8ME-16X 16GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Crucial Technology BLT8G4D32AET4K.M8FE1 8GB
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