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TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMR16GX4M2D3000C16 8GB
比较
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB vs Corsair CMR16GX4M2D3000C16 8GB
总分
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
总分
Corsair CMR16GX4M2D3000C16 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
18.1
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMR16GX4M2D3000C16 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
53
左右 -96% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
13.9
1,590.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMR16GX4M2D3000C16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
53
27
读取速度,GB/s
3,726.4
18.1
写入速度,GB/s
1,590.1
13.9
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
522
3365
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB RAM的比较
Swissbit SEU25664D6BC2EP-30 2GB
Micron Technology 9HTF12872JY80EE1D4 1GB
Corsair CMR16GX4M2D3000C16 8GB RAM的比较
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Ramaxel Technology RMSA3270ME86H9F-2666 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Apacer Technology GD2.22428S.001 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GRK 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3A3 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
A-DATA Technology AO2P24HC8T1-BTBS 8GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Kingmax Semiconductor GSLG42F-18---------- 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
SK Hynix HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G28HA-21P 4GB
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