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TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMW128GX4M8C3200C16 16GB
比较
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB vs Corsair CMW128GX4M8C3200C16 16GB
总分
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
总分
Corsair CMW128GX4M8C3200C16 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
14.6
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMW128GX4M8C3200C16 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
32
53
左右 -66% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
12.9
1,590.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMW128GX4M8C3200C16 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
53
32
读取速度,GB/s
3,726.4
14.6
写入速度,GB/s
1,590.1
12.9
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
522
2959
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB RAM的比较
Swissbit SEU25664D6BC2EP-30 2GB
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Corsair CMW128GX4M8C3200C16 16GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
SK Hynix HMAA4GU6AJR8N-VK 32GB
Corsair CMZ16GX3M4A2400C9 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTZN 32GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZR 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GIS 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston 9905598-006.A00G 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/4G 4GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Samsung M378A4G43MB1-CTD 32GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BN 8GB
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