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TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.8FE 8GB
比较
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB vs Crucial Technology BL8G32C16U4B.8FE 8GB
总分
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
总分
Crucial Technology BL8G32C16U4B.8FE 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
19.1
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology BL8G32C16U4B.8FE 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
31
53
左右 -71% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
14.4
1,590.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
6400
左右 3.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.8FE 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
53
31
读取速度,GB/s
3,726.4
19.1
写入速度,GB/s
1,590.1
14.4
内存带宽,mbps
6400
21300
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
522
3363
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB RAM的比较
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Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-4000C18-8GTZR 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMD16GX4M4C3200C15 4GB
TwinMOS 9DCTCO4E-TATP 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRS 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Samsung M378A5244BB0-CRC 4GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Kingston 9965589-008.D01G 8GB
Corsair CM2X2048-6400C5 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FHP 4GB
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