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TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GIS 8GB
比较
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GIS 8GB
总分
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
总分
G Skill Intl F4-3200C16-8GIS 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
18.2
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3200C16-8GIS 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
30
53
左右 -77% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
14.2
1,590.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GIS 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
53
30
读取速度,GB/s
3,726.4
18.2
写入速度,GB/s
1,590.1
14.2
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
522
3389
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB RAM的比较
Swissbit SEU25664D6BC2EP-30 2GB
Micron Technology 9HTF12872JY80EE1D4 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GIS 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3000C16-16GISB 16GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GVK 8GB
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Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXFB 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVR 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston 9965596-019.B01G 4GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
SK Hynix HMA41GS6AFR8N-TF 8GB
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