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TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-4266C19-32GTZR 32GB
比较
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB vs G Skill Intl F4-4266C19-32GTZR 32GB
总分
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
总分
G Skill Intl F4-4266C19-32GTZR 32GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
16.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-4266C19-32GTZR 32GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
22
53
左右 -141% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
13.4
1,590.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
6400
左右 3.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-4266C19-32GTZR 32GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
53
22
读取速度,GB/s
3,726.4
16.5
写入速度,GB/s
1,590.1
13.4
内存带宽,mbps
6400
21300
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
522
3665
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB RAM的比较
Swissbit SEU25664D6BC2EP-30 2GB
Micron Technology 9HTF12872JY80EE1D4 1GB
G Skill Intl F4-4266C19-32GTZR 32GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Transcend Information TS2GSH64V1B 16GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1A2 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFX 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Corsair CMK32GX4M4C3000C15 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Corsair CM4X4GF2666Z16K4 4GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
SK Hynix HMAA4GU6AJR8N-XN 32GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Kingston KCRXJ6-HYJ 16GB
Corsair CMK16GX4M2E3200C16 8GB
A-DATA Technology AD5U48008G-B 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002 16GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Kingston ACR24D4U7D8MB-16 16GB
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