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TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Jinyu 16GB
比较
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB vs Jinyu 16GB
总分
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
总分
Jinyu 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
17.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Jinyu 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
21
53
左右 -152% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
12.9
1,590.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
6400
左右 3.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Jinyu 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
53
21
读取速度,GB/s
3,726.4
17.3
写入速度,GB/s
1,590.1
12.9
内存带宽,mbps
6400
21300
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
522
3209
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB RAM的比较
Swissbit SEU25664D6BC2EP-30 2GB
Micron Technology 9HTF12872JY80EE1D4 1GB
Jinyu 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4400C19A 8GB
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Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FJ 8GB
Kingston 99U5403-124.A00LF 8GB
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A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB
Corsair CM4X16GC3000C16K4D 16GB
Kingston ACR32D4S2S8ME-16 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FADG 4GB
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Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Corsair CMD32GX4M4B3000C15 8GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Kingston 99U5701-003.A00G 16GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Corsair CMW32GX4M2Z3200C16 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GTZR 16GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
AMD R744G2400U1S-UO 4GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMK32GX4M2B3000C15 16GB
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