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TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston KHX4800C19D4/8GX 8GB
比较
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB vs Kingston KHX4800C19D4/8GX 8GB
总分
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
总分
Kingston KHX4800C19D4/8GX 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
18.2
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston KHX4800C19D4/8GX 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
53
左右 -112% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
17.4
1,590.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston KHX4800C19D4/8GX 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
53
25
读取速度,GB/s
3,726.4
18.2
写入速度,GB/s
1,590.1
17.4
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
522
3848
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB RAM的比较
Swissbit SEU25664D6BC2EP-30 2GB
Micron Technology 9HTF12872JY80EE1D4 1GB
Kingston KHX4800C19D4/8GX 8GB RAM的比较
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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Mushkin 99[2/7/4]191[F/T] 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
SK Hynix GKE800SO51208-2133AH 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Corsair CMR128GX4M8X3800C19 16GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Corsair CMK16GX4M2F4400C19 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVS 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FA 8GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Corsair CMD32GX4M4C3000C15 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M8FB1 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Samsung M393A8K40B21-CTC 64GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8G
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