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TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Mushkin MR[A/B]4U320LLLM8G 8GB
比较
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB vs Mushkin MR[A/B]4U320LLLM8G 8GB
总分
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
总分
Mushkin MR[A/B]4U320LLLM8G 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
18.1
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Mushkin MR[A/B]4U320LLLM8G 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
22
53
左右 -141% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
13.5
1,590.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Mushkin MR[A/B]4U320LLLM8G 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
53
22
读取速度,GB/s
3,726.4
18.1
写入速度,GB/s
1,590.1
13.5
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
522
3256
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB RAM的比较
Swissbit SEU25664D6BC2EP-30 2GB
Micron Technology 9HTF12872JY80EE1D4 1GB
Mushkin MR[A/B]4U320LLLM8G 8GB RAM的比较
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMT451U6BFR8C-PB 4GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Corsair CMT16GX4M2K4000C19 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G21332 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1B1 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMU32GX4M2D3200C16 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMD32GX4M4C3200C14T 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston KHX3200C16D4/8GX 8GB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Corsair CM4X8GF2133C13K4 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE1 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3300C16-4GRRD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FE 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Kingston KHX3200C16D4/8GX 8GB
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