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TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Corsair CMT16GX4M2C3200C16 8GB
比较
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB vs Corsair CMT16GX4M2C3200C16 8GB
总分
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
总分
Corsair CMT16GX4M2C3200C16 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
29
左右 14% 更低的延时
需要考虑的原因
Corsair CMT16GX4M2C3200C16 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
18.4
12.5
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.3
8.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Corsair CMT16GX4M2C3200C16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
25
29
读取速度,GB/s
12.5
18.4
写入速度,GB/s
8.4
15.3
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2180
3583
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB RAM的比较
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Kingston 9905734-063.A00G 32GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Gloway International (HK) STK2400C15-16GB 16GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Kingston 9905624-025.A00G 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVS 8GB
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
Kingston 9905625-062.A00G 8GB
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