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TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FB 32GB
比较
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB vs Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FB 32GB
总分
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
总分
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FB 32GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
36
左右 31% 更低的延时
需要考虑的原因
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FB 32GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15.7
12.5
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.8
8.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FB 32GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
25
36
读取速度,GB/s
12.5
15.7
写入速度,GB/s
8.4
12.8
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2180
3032
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB RAM的比较
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RAM 1
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Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Apacer Technology D22.2221ZA.001 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Apacer Technology 78.CAGPP.40C0B 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3866C18-4GVK 4GB
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Kingston KHX3200C16D4/16GX 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR11 4GB
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