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TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Kingston KTD3KX-HYA 8GB
比较
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB vs Kingston KTD3KX-HYA 8GB
总分
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
总分
Kingston KTD3KX-HYA 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
42
左右 40% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
12.5
7.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.4
6.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston KTD3KX-HYA 8GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Kingston KTD3KX-HYA 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
25
42
读取速度,GB/s
12.5
7.4
写入速度,GB/s
8.4
6.3
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2180
1331
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB RAM的比较
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
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Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Kingston 9965596-019.B01G 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMT16GX4M2C3200C16 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
G Skill Intl F4-3733C17-4GVK 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U72BP8
Essencore Limited KD48GU880-34A170X 8GB
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Corsair CMK32GX4M2D3200C16 16GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C4FE 8GB
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