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Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Corsair CMK32GX4M2D3200C16 16GB
比较
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB vs Corsair CMK32GX4M2D3200C16 16GB
总分
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
总分
Corsair CMK32GX4M2D3200C16 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
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需要考虑的原因
Corsair CMK32GX4M2D3200C16 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
28
44
左右 -57% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18
13
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.4
8.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Corsair CMK32GX4M2D3200C16 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
44
28
读取速度,GB/s
13.0
18.0
写入速度,GB/s
8.2
14.4
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2069
3611
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston 9905712-034.A00G 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FBD 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
AMD R744G2400U1S-UO 4GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
ISD Technology Limited IM44GU48A30-GIIHM 4GB
Kingston 99U5403-050.A00LF 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-ED4-2400 16GB
Kingmax Semiconductor FLFF65F-C8KM9 4GB
Mushkin 99[2/7/4]204[F/T] 4GB
Hewlett-Packard 48U45AA# 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GVK 32GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Micron Technology 8R8F1G64HZ-2G3B1 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung 9905599-020.A00G 16GB
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