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TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
V-Color Technology Inc. TA48G30S815G 8GB
比较
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB vs V-Color Technology Inc. TA48G30S815G 8GB
总分
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
总分
V-Color Technology Inc. TA48G30S815G 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
8.4
8.0
测试中的平均数值
需要考虑的原因
V-Color Technology Inc. TA48G30S815G 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
18
25
左右 -39% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.2
12.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
V-Color Technology Inc. TA48G30S815G 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
25
18
读取速度,GB/s
12.5
17.2
写入速度,GB/s
8.4
8.0
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2180
2422
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB RAM的比较
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V-Color Technology Inc. TA48G30S815G 8GB RAM的比较
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STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
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