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Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE1 8GB
比较
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB vs Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE1 8GB
总分
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
总分
Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE1 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
2
18
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE1 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
31
96
左右 -210% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
14.8
1,336.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
6400
左右 3.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE1 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
96
31
读取速度,GB/s
2,725.2
18.0
写入速度,GB/s
1,336.0
14.8
内存带宽,mbps
6400
21300
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
438
3497
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1B1 4GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Corsair CMD16GX4M4B2133C10 4GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Kingston 9905701-008.A00G 16GB
Samsung M378B1G73QH0-CK0 8GB
Essencore Limited KD48GU880-32A160T 8GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G3A2 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMU32GX4M4C3200C16 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Gloway International (HK) STK2400C15-16GB 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB
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