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Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1B1 4GB
比较
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB vs Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1B1 4GB
总分
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
总分
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1B1 4GB
差异
规格
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差异
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Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
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需要考虑的原因
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1B1 4GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
51
73
左右 -43% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
9.6
6.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
7.8
4.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
8500
左右 2 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1B1 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
73
51
读取速度,GB/s
6.1
9.6
写入速度,GB/s
4.7
7.8
内存带宽,mbps
8500
17000
Other
描述
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1021
2248
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hewlett-Packard 7EH61AA# 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
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Corsair CMK8GX4M1Z3200C16 8GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
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Corsair CMD16GX4M4B3400C16 4GB
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Crucial Technology CT8G4SFD824AC16FBD1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
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