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Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDR2 8GB
比较
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB vs Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDR2 8GB
总分
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
总分
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDR2 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
2
15.7
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDR2 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
32
96
左右 -200% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
11.6
1,336.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDR2 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
96
32
读取速度,GB/s
2,725.2
15.7
写入速度,GB/s
1,336.0
11.6
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
438
2779
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BL16G26C16S4B.16FD 16GB
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Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3000
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRS 16GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Kingston HP24D4U7S8MD-8 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Apacer Technology 78.C2GFK.AR20B 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FAR 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Essencore Limited KD48GU881-26N190D 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3866 4GB
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