RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB
比较
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB vs SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB
总分
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
总分
SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
2
16.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
30
96
左右 -220% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
12.2
1,336.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
23400
6400
左右 3.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
96
30
读取速度,GB/s
2,725.2
16.3
写入速度,GB/s
1,336.0
12.2
内存带宽,mbps
6400
23400
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
排名PassMark (越多越好)
438
2761
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB RAM的比较
takeMS International AG TMS1GB264C081805QI 1GB
Micron Technology 16HTF12864AY-40EB1 1GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMW128GX4M4D3600C18 32GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
SK Hynix HMAA2GU6AJR8N-XN 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston 9905663-012.A00G 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Apacer Technology D22.23263S.002 16GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Kingston 9905665-021.A00G 4GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Kingston KHX2666C15S4/8G 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3B1 16GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
G Skill Intl F4-2400C17-16GSXF 16GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
Samsung M393A4K40BB0-CPB 32GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/4G 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXFB 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M393A1G40DB0-B`B 8GB
报告一个错误
×
Bug description
Source link