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Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
V-GEN D4H4GS24A8 4GB

Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB vs V-GEN D4H4GS24A8 4GB

总分
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Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB

Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB

总分
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V-GEN D4H4GS24A8 4GB

V-GEN D4H4GS24A8 4GB

差异 规格 评论

差异

Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB 需要考虑的原因
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
报告一个错误
  • 更快的读取速度，GB/s
    2 left arrow 14.7
    测试中的平均数值
V-GEN D4H4GS24A8 4GB 需要考虑的原因
V-GEN D4H4GS24A8 4GB
报告一个错误
  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    94 left arrow 96
    左右 -2% 更低的延时
  • 更快的写入速度，GB/s
    7.9 left arrow 1,336.0
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽，mbps
    19200 left arrow 6400
    左右 3 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
V-GEN D4H4GS24A8 4GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    96 left arrow 94
  • 读取速度，GB/s
    2,725.2 left arrow 14.7
  • 写入速度，GB/s
    1,336.0 left arrow 7.9
  • 内存带宽，mbps
    6400 left arrow 19200
Other
  • 描述
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • 时序/时钟速度
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    438 left arrow 1506

Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB RAM的比较

takeMS International AG TMS1GB264C081805QI 1GB
Micron Technology 16HTF12864AY-40EB1 1GB

V-GEN D4H4GS24A8 4GB RAM的比较

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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SK Hynix HMA81GS6AFR8N-VK 8GB
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内存RAM
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
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AMD R748G2133U2S 8GB
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Kingston 9905702-010.A00G 8GB
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Kingston 99U5702-020.A00G 8GB
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内存RAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
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Corsair CMD64GX4M4B3466C16 16GB
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内存RAM
Kingston 99U5315-023.A00LF 512MB
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Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
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Corsair CMW16GX4M2C3200C14 8GB
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内存RAM
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
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SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB
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Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB
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