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Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FB 8GB
比较
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB vs Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FB 8GB
总分
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
总分
Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FB 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
30
左右 13% 更低的延时
需要考虑的原因
Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FB 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16.7
14.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.0
9.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FB 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
26
30
读取速度,GB/s
14.1
16.7
写入速度,GB/s
9.5
12.0
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 17 18 19
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2354
2982
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB RAM的比较
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston X75V1H-MIE 32GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Mushkin 99[2/7/4]208F 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FP 16GB
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Samsung M471A1K43BB0-CPB 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-DA---------- 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-UH 16GB
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