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V-GEN D4H4GS24A8 4GB
V-GEN D4H8GS24A8 8GB
比较
V-GEN D4H4GS24A8 4GB vs V-GEN D4H8GS24A8 8GB
总分
V-GEN D4H4GS24A8 4GB
总分
V-GEN D4H8GS24A8 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
V-GEN D4H4GS24A8 4GB
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需要考虑的原因
V-GEN D4H8GS24A8 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
92
94
左右 -2% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.1
14.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.2
7.9
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
V-GEN D4H4GS24A8 4GB
V-GEN D4H8GS24A8 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
94
92
读取速度,GB/s
14.7
15.1
写入速度,GB/s
7.9
8.2
内存带宽,mbps
19200
19200
Other
描述
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1506
1640
V-GEN D4H4GS24A8 4GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
V-GEN D4H8GS24A8 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6D1 32GB
V-GEN D4H4GS24A8 4GB
V-GEN D4H8GS24A8 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
G Skill Intl F4-4400C19-16GVK 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Corsair CMU16GX4M2C3000C15 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-UH 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESB.M16FE 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C14C 8GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVRD 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180X 16GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
V-GEN D4S4GL32A16TS 4GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
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