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Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Corsair CMD16GX4M4B2400C10 4GB
比较
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB vs Corsair CMD16GX4M4B2400C10 4GB
总分
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
总分
Corsair CMD16GX4M4B2400C10 4GB
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规格
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Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
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Corsair CMD16GX4M4B2400C10 4GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
25
44
左右 -76% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
13.7
10.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.2
7.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Corsair CMD16GX4M4B2400C10 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
44
25
读取速度,GB/s
10.9
13.7
写入速度,GB/s
7.5
10.2
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1853
2792
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Corsair CMU32GX4M2C3200C16 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMAA4GU6AJR8N
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Avant Technology J644GU44J9266NQ 32GB
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