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Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Corsair CMR32GX4M4D3000C16 8GB
比较
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB vs Corsair CMR32GX4M4D3000C16 8GB
总分
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
总分
Corsair CMR32GX4M4D3000C16 8GB
差异
规格
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需要考虑的原因
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
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Corsair CMR32GX4M4D3000C16 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
23
44
左右 -91% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.2
10.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.2
7.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Corsair CMR32GX4M4D3000C16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
44
23
读取速度,GB/s
10.9
17.2
写入速度,GB/s
7.5
14.2
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1853
3299
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB RAM的比较
Ramaxel Technology RMR1870EC58E9F1333 4GB
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Corsair CMR32GX4M4D3000C16 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5403-050.A00LF 4GB
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Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GVK 32GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Apacer Technology GD2.1527WE.001 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Kingston ACR24D4U7S8MB-8 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FB 16GB
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