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Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB

Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB vs Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB

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Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB

Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB

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Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB

Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB

差异 规格 评论

差异

Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB 需要考虑的原因
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
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Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB 需要考虑的原因
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB
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  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    14 left arrow 44
    左右 -214% 更低的延时
  • 更快的读取速度，GB/s
    26.4 left arrow 10.9
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度，GB/s
    19.8 left arrow 7.5
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽，mbps
    17000 left arrow 10600
    左右 1.6 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    44 left arrow 14
  • 读取速度，GB/s
    10.9 left arrow 26.4
  • 写入速度，GB/s
    7.5 left arrow 19.8
  • 内存带宽，mbps
    10600 left arrow 17000
Other
  • 描述
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
  • 时序/时钟速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    1853 left arrow 4362

Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB RAM的比较

Ramaxel Technology RMR1870EC58E9F1333 4GB
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Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB RAM的比较

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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB
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