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Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Kingston HP26D4S9S1ME-4 4GB
比较
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB vs Kingston HP26D4S9S1ME-4 4GB
总分
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
总分
Kingston HP26D4S9S1ME-4 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
44
99
左右 56% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
7.5
6.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston HP26D4S9S1ME-4 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
14.4
10.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Kingston HP26D4S9S1ME-4 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
44
99
读取速度,GB/s
10.9
14.4
写入速度,GB/s
7.5
6.4
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1853
1386
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
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Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FB 4GB
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD2 4GB
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Kingston K1CXP8-MIE 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
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