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Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD2 4GB
比较
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD2 4GB
总分
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
总分
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD2 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
2
14.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD2 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
33
46
左右 -39% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
8.8
1,519.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
3200
左右 6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD2 4GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
46
33
读取速度,GB/s
2,909.8
14.3
写入速度,GB/s
1,519.2
8.8
内存带宽,mbps
3200
19200
Other
描述
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
3-3-3-12 / 400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
241
2086
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMT451S6AFR8A-PB 4GB
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Essencore Limited IM4AGU88N26-GIIHMB 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Corsair CMK32GX4M4B3333C16 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Corsair CMK32GX4M2Z3600C18 16GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
SK Hynix HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Corsair CMWX8GD3000C15W4 8GB
G Skill Intl F4-3200C22-16GRS 16GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FR 8GB
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