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Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
SK Hynix GKE800UD102408-2133 8GB
比较
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB vs SK Hynix GKE800UD102408-2133 8GB
总分
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
总分
SK Hynix GKE800UD102408-2133 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
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需要考虑的原因
SK Hynix GKE800UD102408-2133 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
23
44
左右 -91% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.2
10.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.0
7.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
SK Hynix GKE800UD102408-2133 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
44
23
读取速度,GB/s
10.9
17.2
写入速度,GB/s
7.5
12.0
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1853
3017
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB RAM的比较
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SK Hynix GKE800UD102408-2133 8GB RAM的比较
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Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905700-025.A00G 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRKB 8GB
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