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Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
比较
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB vs Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
总分
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
总分
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
44
62
左右 29% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
7.5
6.0
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16.1
10.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
44
62
读取速度,GB/s
10.9
16.1
写入速度,GB/s
7.5
6.0
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1853
1586
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB RAM的比较
Ramaxel Technology RMR1870EC58E9F1333 4GB
Kingston ACR26D4U9S1KA-4 4GB
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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Kingston KHX16LC9/8GX 8GB
Kingston 9905665-009.A00G 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
Kingston 9905663-030.A00G 16GB
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
A-DATA Technology DDR4 4133 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
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G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Corsair CMSX16GX4M2A3000C16 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FBR 16GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Kingston 9932291-002.A00G 4GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6MFR8N
Kingston HP24D4U7S8MH-8 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G13332 4GB
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