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Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Transcend Information JM2666HLB-16G 16GB
比较
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB vs Transcend Information JM2666HLB-16G 16GB
总分
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
总分
Transcend Information JM2666HLB-16G 16GB
差异
规格
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需要考虑的原因
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
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需要考虑的原因
Transcend Information JM2666HLB-16G 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
35
44
左右 -26% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.2
10.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.6
7.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Transcend Information JM2666HLB-16G 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
44
35
读取速度,GB/s
10.9
16.2
写入速度,GB/s
7.5
11.6
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1853
3120
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB RAM的比较
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
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TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMK16GX4M2E3200C16 8GB
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Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB
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