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Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4WL.M8FE1 8GB
比较
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB vs Crucial Technology BL8G30C15U4WL.M8FE1 8GB
总分
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
总分
Crucial Technology BL8G30C15U4WL.M8FE1 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
29
左右 14% 更低的延时
需要考虑的原因
Crucial Technology BL8G30C15U4WL.M8FE1 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16.8
12.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.4
7.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4WL.M8FE1 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
25
29
读取速度,GB/s
12.6
16.8
写入速度,GB/s
7.2
12.4
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2051
3143
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RAM 2
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Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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Smart Modular SF464128CKHIWDFSEG 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Samsung V-GeN D4S8GL24A8 8GB
Mushkin 991586 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB
Kingston KVR26N19D8/16 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GDBVR 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Panram International Corporation R748G2133U2S 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR1 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Corsair CMU16GX4M2A2400C16 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Kingston 9965600-012.A02G 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Kingston 9965684-005.A00G 8GB
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