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Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19161C-S 16GB
比较
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB vs Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19161C-S 16GB
总分
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
总分
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19161C-S 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
31
左右 19% 更低的延时
需要考虑的原因
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19161C-S 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16.4
12.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.5
7.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19161C-S 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
25
31
读取速度,GB/s
12.6
16.4
写入速度,GB/s
7.2
10.5
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2051
3039
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB RAM的比较
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Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston LV32D4U2S8ME-16X 16GB
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
Samsung M471A2K43BB1-CTD 16GB
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G Skill Intl F4-3600C18-16GVK 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
SK Hynix HMAA2GU6CJR8N-XN 16GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Samsung M474A2K43BB1-CRC 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2J1 16GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FADG 4GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BZ4SHD 8GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Kingston 9965662-018.A00G 32GB
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