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Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Kingston 9965596-002.B00G 4GB
比较
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB vs Kingston 9965596-002.B00G 4GB
总分
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
总分
Kingston 9965596-002.B00G 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
34
左右 26% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
12.6
9.6
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston 9965596-002.B00G 4GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
8.5
7.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Kingston 9965596-002.B00G 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
25
34
读取速度,GB/s
12.6
9.6
写入速度,GB/s
7.2
8.5
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2051
2346
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB RAM的比较
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RAM Latency Calculator
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Samsung M471A1A43CB1-CRC 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M393A1G40DB0-B`B 8GB
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Kingston ACR24D4S7D8MB-16 16GB
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Corsair CM4B16G4J2400A16K2-O 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Corsair CMR16GX4M2D3200C16 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FAD 8GB
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