Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) MPPU8GB1333DDP 8GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) MPPU8GB1333DDP 8GB

审查RAM Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) MPPU8GB1333DDP 8GB, 规格、基准

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) MPPU8GB1333DDP 8GB 记忆模块回顾. 主要技术特点和PassMark的基准性能评估. 我们建议研究所有数据,并与竞争模式进行比较。

规格

完整的技术规格清单
特点
  • Type
    DDR3
  • 命名
    Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) MPPU8GB1333DDP
  • 特征
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
  • 内存带宽
    10600 mbps
  • 时序/时钟速度

    * 检查制造商的网站

    7-7-7-20 / 1333 MHz
性能由PassMark提供
  • 延迟
    27 ns
  • 阅读速度
    13.3 GB/s
  • 写入速度
    7.9 GB/s
# 1066 1333 1600 1866 2000 2133 2400 2600 2666 2800 2933 3000 3100 3200 MT/s
7 13.13 10.50 8.75 7.50 7.00 6.56 5.83 5.38 5.25 5.00 4.77 4.67 4.52 4.38
8 15.01 12.00 10.00 8.57 8.00 7.50 6.67 6.15 6.00 5.71 5.46 5.33 5.16 5.00
9 16.89 13.50 11.25 9.65 9.00 8.44 7.50 6.92 6.75 6.43 6.14 6.00 5.81 5.63
10 18.76 15.00 12.50 10.72 10.00 9.38 8.33 7.69 7.50 7.14 6.82 6.67 6.45 6.25
11 20.64 16.50 13.75 11.79 11.00 10.31 9.17 8.46 8.25 7.86 7.50 7.33 7.10 6.88
12 22.51 18.00 15.00 12.86 12.00 11.25 10.00 9.23 9.00 8.57 8.18 8.00 7.74 7.50
13 24.39 19.50 16.25 13.93 13.00 12.19 10.83 10.00 9.75 9.29 8.86 8.67 8.39 8.13
14 26.27 21.01 17.50 15.01 14.00 13.13 11.67 10.77 10.50 10.00 9.55 9.33 9.03 8.75
15 28.14 22.51 18.75 16.08 15.00 14.06 12.50 11.54 11.25 10.71 10.23 10.00 9.68 9.38
16 30.02 24.01 20.00 17.15 16.00 15.00 13.33 12.31 12.00 11.43 10.91 10.67 10.32 10.00
CL

CAS延迟衡量的是,从提出读取数据的请求到获得这些信息所经过的时钟周期的数量。

性能测试

真实的测试 Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) MPPU8GB1333DDP 8GB
读取非缓存传输速度
无缓存的平均内存读取时间
给RAM评分
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