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Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Compara
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Puntuación global
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Puntuación global
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
33
37
En 11% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.6
16
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
19200
En 1.33% mayor ancho de banda
Razones a tener en cuenta
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Informar de un error
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.6
12.0
Valor medio en las pruebas
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
33
37
Velocidad de lectura, GB/s
17.6
16.0
Velocidad de escritura, GB/s
12.0
12.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
25600
19200
Other
Descripción
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2910
2808
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB Comparaciones de la memoria RAM
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Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRBB 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.M16FBD 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Corsair CMT32GX4M4C3200C16 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FB 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7AFR8N
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Kingston 9905702-119.A00G 8GB
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