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Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
Compara
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
Puntuación global
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
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Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
30
En -11% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
13.8
10.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.8
6.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
8500
En 2.26 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
30
27
Velocidad de lectura, GB/s
10.6
13.8
Velocidad de escritura, GB/s
6.8
9.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
8500
19200
Other
Descripción
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1479
2323
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Comparaciones de la memoria RAM
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
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