RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
Gesamtnote
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
27
30
Rund um -11% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.8
10.6
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.8
6.8
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
8500
Rund um 2.26 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
30
27
Lesegeschwindigkeit, GB/s
10.6
13.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
6.8
9.8
Speicherbandbreite, mbps
8500
19200
Other
Beschreibung
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1479
2323
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB RAM-Vergleiche
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N-UH 8GB RAM-Vergleiche
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Corsair CMK16GX4M1C3000C16 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.CAGRN.40C0B 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Apacer Technology 78.C1GS7.AUC0B 8GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWF 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GRS 32GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
G Skill Intl F4-3600C16-32GVK 32GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
V-Color Technology Inc. TL48G26S8KRRGB16 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FA 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZSW 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4133C19-4GTZ 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FH1 16GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Kingmax Semiconductor GZAG43F-18---------- 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Micron Technology M471A1K43CB1-CTD 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link