RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
Comparar
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
Pontuação geral
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
27
30
Por volta de -11% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
13.8
10.6
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
9.8
6.8
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
8500
Por volta de 2.26 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
30
27
Velocidade de leitura, GB/s
10.6
13.8
Velocidade de escrita, GB/s
6.8
9.8
Largura de banda de memória, mbps
8500
19200
Other
Descrição
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1479
2323
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Comparações de RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N-UH 8GB Comparações de RAM
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
A-DATA Technology AM2P26KC8T1-BXRS 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Crucial Technology BL32G32C16U4WL.M16FB 32GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZA 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 99U5428-046.A00LF 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GIS 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Kingston KF2666C16S4/16G 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston 9905678-065.A00G 8GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Essencore Limited IM4AGU88N26-GIIHA0 16GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Panram International Corporation PUD42133C158G2VS 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Kingston 9905700-053.A00G 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FB 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
InnoDisk Corporation M4S0-AGS1O5IK 16GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Kingston 9905678-102.A00G 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link